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TOS7210S絕緣電阻測試儀

簡(jiǎn)要描述:

TOS7210S絕緣電阻測試儀產(chǎn)品概述
PID絕緣測試儀(TOS7210S)是為準確有效地對太陽(yáng)能電池模塊的PID(Potential Induced Degradation)現象進(jìn)行評估,以絕緣電阻測試儀(TOS7200)為基礎設計而成的測試儀。&#160;
附有極性切換功能,輸出電壓可達2000V,同時(shí)裝載了n*分辨率的電流表,因此不僅可以進(jìn)行PID評估,還可以用于要求進(jìn)行高敏感度測試的絕緣體評估測試

更新時(shí)間:2018-07-27

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TOS7210S絕緣電阻測試儀

TOS7210S絕緣電阻測試儀產(chǎn)品概述

PID絕緣測試儀(TOS7210S)是為準確有效地對太陽(yáng)能電池模塊的PID(Potential Induced Degradation)現象進(jìn)行評估,以絕緣電阻測試儀(TOS7200)為基礎設計而成的測試儀。 
附有極性切換功能,輸出電壓可達2000V,同時(shí)裝載了n*分辨率的電流表,因此不僅可以進(jìn)行PID評估,還可以用于要求進(jìn)行高敏感度測試的絕緣體評估測試。標準安裝了可從外部調用的面板存儲器及RS232C接口,因此也可以靈活對應自動(dòng)化系統。
什么是PID現象?
PID現象是指太陽(yáng)能電池與邊框長(cháng)期被施以高電壓,電池發(fā)電量顯著(zhù)降低的現象。目前認為所施加的電壓越高,越是在高溫、高濕的環(huán)境下劣化現象越嚴重。如晶體硅太陽(yáng)能電池模塊的輸出電壓即使只有數十V,一旦直接連接的片數增加,串內的電位差將變得非常高。一方面,PCS(Power Conditioning System)作為交流電源與系統相連,使接地形態(tài)發(fā)生變化。輸入端采用浮接(一側電極不能接地線(xiàn))的無(wú)變壓器方式近年有所增加。這種情況下電池和地線(xiàn)間將發(fā)生高電位差?,F在可明確的是,晶體硅太陽(yáng)能電池模塊中,相對于邊框(接地線(xiàn))負極電位高的電池容易發(fā)生PID現象。(請參照圖1)目前,日本國內以最大600V、歐洲以最大1000V的系統電壓運行太陽(yáng)能電池模塊,但是目前出現了提高最大系統電壓以削減企業(yè)用大規模太陽(yáng)能發(fā)電系統的串數、PCS總數,提高發(fā)電效率的趨勢。 
圖2模擬了晶體硅太陽(yáng)能電池模塊的處于高電位差的狀況。邊框為正極電位、模塊電路處于負*電位的狀況。目前認為是由于超白鋼化玻璃內的鈉離子向電池側遷移而引起劣化。(薄膜太陽(yáng)能電池模塊也被確認出現PID現象,但是發(fā)生劣化的機制與晶體硅太陽(yáng)能電池模塊不同。)現在,各種研究機構正在通過(guò)研究、試驗查找PID現象的原因。

TOS7210S絕緣電阻測試儀產(chǎn)品特點(diǎn)

可任意設定輸出電壓
可將對被檢品施加的測試電壓設定在50Vdc-2000Vdc(分辨率1V)范圍內。假設太陽(yáng)能發(fā)電系統的電壓在1000V以上,可對其進(jìn)行評估。此外,在電氣/電子部件、電氣/電子設備的絕緣電阻測試中,也可對應JIS C 1302: 1994所規定的電壓范圍以外的測試。在50V-1000V范圍內,輸出特性以JIS C 1302: 1994為基準。 

極性切換功能
可通過(guò)主機面板的開(kāi)關(guān)輕松切換輸出極性。PID現象是一種可逆現象,施加負偏壓電壓可能會(huì )恢復。極性切換是一項不需要對被檢品實(shí)施配線(xiàn)變更的便利功能。此外,通過(guò)RS232C接口可實(shí)施由外部控制的切換。 

建立輸出端的浮地
輸出端子與接地電位間為浮地狀態(tài)(*1)。此外,使用屏蔽電纜作為輸出電纜 (TL51-TOS)。這樣就不會(huì )測量被檢品與大地間的電流,只測量測試點(diǎn)間的電流,可確保評估測試的高敏感度和精確性。
*1:設定為正極的端子的對地電壓(±1000Vdc)設定為負極的端子的對地電壓(+1000Vdc及-3000Vdc) 

模擬輸出端子
在電阻顯示模式中,基于對數壓縮將對應電阻測量值的電壓輸出限制在0V-4V之間。在電流顯示模式中,對應電流測量值及測量量程(4個(gè)量程)按線(xiàn)性標度輸出。使用數據記錄器等外部記錄設備可對被檢品的變化、劣化狀況進(jìn)行解析。

TOS7210S絕緣電阻測試儀選型指南

型號

規格

TOS7210S (SPEC80776) 

PID絕緣測試儀(TOS7210S)是為準確有效地對太陽(yáng)能電池模塊的PID(Potential Induced Degradation)現象進(jìn)行評估, 以絕緣電阻測試儀(TOS7200)為基礎設計而成的測試儀, 可在50Vdc-2000Vdc(分辨率1V)范圍內實(shí)施設定, 可通過(guò)面板側的開(kāi)關(guān)即時(shí)切換施加電壓極性, 輸出端子與接地電位間為浮地狀態(tài), 只測量通過(guò)測量點(diǎn)間的電流. 可對電流測量值或電阻測量值進(jìn)行切換顯示, 測試線(xiàn)(TL51-TOS)包括

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